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一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法
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商品编号
FP56877854760806440801
商品权属
自有
交易方式
技术转让
商品价格
? 1,000,000 元

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电话 151xxxx6898
本发明公开了一种铝镓氮基日盲紫外探测器,包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Al<sub>x1</sub>Ga<sub>1?x1</sub>N缓冲层、n型Al<sub>x2</sub>Ga<sub>1?x2</sub>N层、非掺杂i型Zn<sub>y1</sub>Mg<sub>1?y1</sub>O吸收层、n型ZnO/Zn<sub>y2</sub>Mg<sub>1?y2</sub>O超晶格分离层、非掺杂i型Zn<sub>y3</sub>Mg<sub>1?y3</sub>O倍增层、p型Al<sub>x3</sub>Ga<sub>1?x3</sub>N层、p型GaN层,在n型Al<sub>x2</sub>Ga<sub>1?x2</sub>N层上引出的n型欧姆电极,在p型GaN层上引出的p型欧姆电极。本发明还公开了铝镓氮基日盲紫外探测器的制备方法。该铝镓氮基日盲紫外探测器可提高日盲紫外探测器雪崩倍增因子与探测器的响应度。

1.一种铝镓氮基日盲紫外探测器,其特征在于,包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1?x1N缓冲层、n型Alx2Ga1?x2N层、非掺杂i型Zny1Mg1?y1O吸收层、n型ZnO/Zny2Mg1?y2O超晶格分离层、非掺杂i型Zny3Mg1?y3O倍增层、p型Alx3Ga1?x3N层、p型GaN层,在n型Alx2Ga1?x2N层上引出的n型欧姆电极,在p型GaN层上引出的p型欧姆电极。

商品类型 专利 申请号 CN201710301067.2 IPC分类号
专利类型 发明 法律状态 有权 技术领域
高技术服务 研发与设计服务 研发服务
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 专利权人
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