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一种光调控三端口人工突触器件及制备方法
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商品编号
FP202311100923796480
商品权属
自有
交易方式
开放许可
支付方式
免费
许可期限
1 年
商品价格
? 0 元

店铺信息

南京邮电大学
电话 185xxxx1668
本发明公开了一种光调控三端口人工突触器件及制备方法,所述器件的结构包含衬底;位于所述衬底上的栅电极和栅绝缘层;位于所述栅绝缘层上的聚合物薄膜层;位于所述聚合物薄膜层上的有机半导体层;位于所述有机半导体层上的半导体沟道层;位于所述半导体沟道层两端的源电极和漏电极。所述制备方法包括选择衬底、形成栅电极和栅绝缘层、配制聚合物溶液、旋涂形成聚合物薄膜层、真空混蒸有机半导体层和源漏电极。本发明的器件将三端口人工突触中的有机半导体层用P型半导体和N型半导体混蒸而成,既保留了器件的器件特性,又优化器件结构;其制备方法操作简单,成本低廉,适宜大规模生产;可应用于人工智能和视觉神经网络领域。
本发明公开了一种光调控三端口人工突触器件及制备方法,所述器件的结构包含衬底;位于所述衬底上的栅电极和栅绝缘层;位于所述栅绝缘层上的聚合物薄膜层;位于所述聚合物薄膜层上的有机半导体层;位于所述有机半导体层上的半导体沟道层;位于所述半导体沟道层两端的源电极和漏电极。所述制备方法包括选择衬底、形成栅电极和栅绝缘层、配制聚合物溶液、旋涂形成聚合物薄膜层、真空混蒸有机半导体层和源漏电极。本发明的器件将三端口人工突触中的有机半导体层用P型半导体和N型半导体混蒸而成,既保留了器件的器件特性,又优化器件结构;其制备方法操作简单,成本低廉,适宜大规模生产;可应用于人工智能和视觉神经网络领域。
商品类型 专利 申请号 ZL201911196975.5 IPC分类号
H01L51/42
专利类型 发明 法律状态 有权 技术领域
先进制造与自动化
交易方式 开放许可 专利状态 已授权 专利权人
南京邮电大学
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